阻抗分析儀測量功率MOSFET器件柵極分離電容C-V特性的誤差分析及調控方法
時間:2021-12-06瀏覽量：0
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功率MOSFET器件柵極分離電容C-V特性(CGS-VG、CGD-VG)的準確測量對于器件的建模及柵氧可靠性的評估十分重要。阻抗分析儀是測量CGS-VG、CGD-VG的關鍵設備。在利用阻抗分析儀測量三端器件的某個參數(shù)時，需對非測量的第三端進行屏蔽以消除其引入的并聯(lián)阻抗誤差。而功率MOSFET器件在柵壓超過閾值電壓時呈導通態(tài)，影響測量電路拓撲，進而引入其他測量誤差。本文針對阻抗分析儀測量功率MOSFET器件的CGS-VG、CGD-VG進行了詳細的誤差分析，揭示了測量誤差產生的原因;建立了測量的等效電路模型，給出了測量誤差的解析表達式;結合實驗和數(shù)值分析量化了誤差分析，驗證了等效電路模型的有效性;最后，提出了三種可實現(xiàn)C-V特性準確測量的調控方法并予以實驗驗證。結果表明，測量誤差發(fā)生在器件導通后，此時器件漏源極間由電容態(tài)轉變?yōu)榈妥钁B(tài)，屏蔽端的寄生電感(L5)與自動平衡電橋的等效輸入阻抗(L3)分流，引入誤差。當L3和L5滿足一定的匹配關系時，可實現(xiàn)不同頻率下的準確測量。
